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元件参数资料
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参数目录42108
> STB4NK60Z-1 MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
型号:
STB4NK60Z-1
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STB4NK60Z-1 PDF
其它有关文件
STB4NK60Z-1 View All Specifications
标准包装
50
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2 欧姆 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
510pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件
其它名称
497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND
查看STB4NK60Z-1代理商
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